本新兴企业FLOSFIA(总部：京都)2016年9月28日宣布，与京都大学工学系研究科藤田静雄教授和金子健太郎领导的研究小组共同成功研制出实现“氧化镓(Ga2O3)”功率晶体管所必需的p型层。与正作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC(碳化硅)及GaN(氮化镓)相比，氧化镓能够低成本制作高耐压、低损耗的功率器件，因此备受关注。该研究小组研究的是具有“刚玉(corundum)型”晶体结构的“α型”氧化镓。此次，利用与α型氧化镓一样具有刚玉型结构的氧化铱(Ir2O3)实现了p型层。利用该技术便可实现采用氧化镓的功率MOSFET。

要想实现功率MOSFET，必须有n型层和p型层，而利用氧化镓制备优质的p型层是非常困难的。此次，FLOSFIA和京大的研究小组将目光转向了与α型氧化镓一样具有刚玉型结构的氧化铱。氧化铱不仅具有同样的晶体结构，与α型氧化镓的晶格常数差仅0.3%，因此可以利用n型氧化镓和p型氧化铱制作功率MOSFET。FLOSFIA的目标是2018年供应采用氧化镓的MOSFET样品。

FLOSFIA将利用“MIST EPITAXY法”制备α型氧化镓。对氧化铱也可以采用同样的方法。这种方法以藤田静雄教授等人开发的“Mist CVD”为基础，结合了杂质浓度降低技术及多层化技术等自主技术。MIST EPITAXY法的特点是不需要昂贵的真空装置。

氧化铱的p型特性已通过霍尔效应测试得以确认。测试结果表明，空穴漂移迁移率为2.3cm2/Vs，载流子浓度为1.0×1021/cm3。已通过X射线衍射线形和衍射斑确认其具有刚玉型结构。

相关技术详情已在2016年9月13～16日举行的“第77届应用物理学会秋季学术演讲会”上发表。